banner

VAST MOSFET

为适应电源系统高效率小型化的需求,旷通半导体推出了新型的VAST MOSFET, 采用独特专利器件结构和制造工艺,VAST MOSFET产品具有比常规MOSFET更快的开关速度及更柔和的开关曲线,在获得极低的动态损耗的同时最大限度抑制了开关震荡,不仅可以大大提高系统效率、降低发热量,还可以简化系统EMI设计。VAST MOSFET系列产品涵盖500V-1200V全系列,可以满足各种电源系统的需求。基于其高效率、低温升的特点,特别适用于快速充电器、LED电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩等系统。


V系列(Versatile通用型):V系列产品覆盖500V-1200V全范围,具有低导通电阻、低栅极电荷、优异的静态和动态损耗特性。该系列适用于各种高性能功率转换领域,为客户提供全面、灵活的选择。

A系列(Advanced高级型):A系列产品在V系列的基础上进一步优化了开关特性,实现了更低的开关损耗和更高的EMI性能。特别适用于对效率和电磁兼容性要求较高的应用,如工业电源、PD快充和新能源设备等。

S系列(Swift高速型):S系列产品专注于高速开关应用,大幅提升了开关速度,同时保持了柔和的开关特性。这使得S系列特别适合于高频DC-DC转换器、谐振电源和软开关拓扑等大功率要求极快开关速度的场景。

T系列(Top-tier顶级型):T系列代表了VAST MOS技术的巅峰,综合了低导通电阻、超快开关速度和卓越的热性能。该系列采用最新的芯片设计和封装技术,为追求极致性能的高端应用提供解决方案,如数据中心服务器电源、电动汽车充电设备和大功率工业电源等。

    1. Package

    2. VDS [V] min

    3. ID @25°C max [A]

      Min:2
      Max:90
    4. RDS (on) max [Ω] max

      Min:0.022
      Max:2.3
    5. VGS(th) [V] min

    6. VGS(th) [V] max

    7. Special

Inquiry Datasheet Part Number Package VDS [V] ID @25°C max [A] RDS (on) max [Ω] VGS(th) [V] Special
min max min max

Inquiry

Product model

    Contact person

    Contact number

    Area